MOS管漏極電壓擊穿主要是通過Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結耗盡區(qū)延展，當耗盡區(qū)碰到Source的時候，那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路，所以叫做穿通（punch through）。

關于MOS管穿通擊穿有以下幾個特點：

（1）穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，產(chǎn)生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應，使源襯底結正偏出現(xiàn)電流逐步增大的特征。

（2）穿通擊穿的軟擊穿點發(fā)生在源漏的耗盡層相接時，此時源端的載流子注入到耗盡層中，

被耗盡層中的電場加速達到漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當于源襯底PN結正向導通時的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為PN結反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。

（3）穿通擊穿一般不會出現(xiàn)破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強沒有達到雪崩擊穿的場強，不會產(chǎn)生大量電子空穴對。

（4）穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內，溝道表面不容易發(fā)生穿通，這主要是由于溝道注入使表面濃度比濃度大造成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。

（5）一般的，鳥嘴邊緣的濃度比溝道中間濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中間。

（6）多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，隨著柵長度增加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴格來說也有影響，但是沒有那么顯著。

那如何防止穿通呢？這就要回到二極管反偏特性了，耗盡區(qū)寬度除了與電壓有關，還與兩邊的摻雜濃度有關，濃度越高可以抑制耗盡區(qū)寬度延 展，所以flow里面有個防穿通注入（APT： AnTI Punch Through），記住它要打和well同type的specis。當然實際遇到WAT的BV跑了而且確定是從Source端走了，可能還要看是否 PolyCD或者Spacer寬度，或者LDD_IMP問題了，那如何排除呢？這就要看你是否NMOS和PMOS都跑了？POLY CD可以通過Poly相關的WAT來驗證。
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