mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是能夠對調(diào)的，他們都是在P型backgate中構成的N型區(qū)。在多數(shù)狀況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即便兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被以為是對稱的。三極管，是一種電流控制電流的半導體器件-其作用是把微小信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體根本元器件之一，具有電放逐大作用，是電子電路的中心元件。三極管是在一塊半導體基片上制造兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分紅三局部，中間局部是基區(qū)，兩側局部是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

工作性質(zhì)：三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.

功耗問題：三極管損耗大。

驅動才能：mos管常用來電源開關，以及大電流中央開關電路。

MOS管用于高頻高速電路，大電流場所，以及對基極或漏極控制電流比擬敏感的中央。普通來說低本錢場所，普通應用的先思索用三極管，不行的話思索MOS管實踐上說電流控制慢，電壓控制快這種了解是不對的。要真正了解得理解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才干明白。三極管是靠載流子的運動來工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴散運動，在此pn結處會感應出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場（即內(nèi)建電場），當基極外加正電壓的指向為基區(qū)指向發(fā)射區(qū)，當基極外加電壓產(chǎn)生的電場大于內(nèi)建電場時，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結的正導游通電壓（工程上普通以為0.7v）。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在，此時假如集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運動（實踐上都是電子的反方向運動），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過基區(qū)抵達集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復合（靠近集電極），為維持均衡，在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運動，而空穴則為pn結處運動，此過程相似一個雪崩過程。集電極的電子經(jīng)過電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時，兩個pn結都會感應出電荷，當做開關管處于導通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，假如這時三極管截至，pn結感應的電荷要恢復到均衡狀態(tài)，這個過程需求時間。而mos三極管工作方式不同，沒有這個恢復時間，因而能夠用作高速開關管。
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