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    6. MOS管封裝形式介紹
      • 發布時間:2020-06-26 16:47:09
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      MOS管封裝形式介紹
      主板的供電一直是廠商和用戶關注的焦點,視線從供電相數開始向MOSFET器件轉移。這是因為隨著MOSFET技術的進展,大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET以及多芯片DrMOS開始用在主板上,新的功率器件吸引了主板用戶的眼球。本文將對主板采用的MOSFET器件的封裝規格和封裝技術作簡要介紹。
      MOS管封裝
      MOSFET芯片制作完成后,需要封裝才可以使用。所謂封裝就是給MOSFET芯片加一個外殼,這個外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構成完整的電路。
      芯片的材料、工藝是MOSFET性能品質的決定性因素,MOSFET廠商自然注重芯片內核結構、密度以及工藝的改進,以提高MOSFET的性能。這些技術改進將付出很高的成本。
      MOSFET的封裝形式
      封裝技術也直接影響到芯片的性能和品質,對同樣的芯片以不同形式的封裝,也能提高芯片的性能。所以芯片的封裝技術是非常重要的。
      以安裝在PCB的方式區分,功率MOSFET的封裝形式有插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)二大類。插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB的安裝孔焊接在PCB上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤上。
      常見的直插式封裝如雙列直插式封裝(DIP),晶體管外形封裝(TO),插針網格陣列封裝(PGA)等。
      典型的表面貼裝式如晶體管外形封裝(D-PAK),小外形晶體管封裝(SOT),小外形封裝(SOP),方形扁平封裝(QFP),塑封有引線芯片載體(PLCC)等等。
      腦主板一般不采用直插式封裝的MOSFET,本文不討論直插式封裝的MOSFET。
      一般來說,“芯片封裝”有2層含義,一個是封裝外形規格,一個是封裝技術。對于封裝外形規格來說,國際上有芯片封裝標準,規定了統一的封裝形狀和尺寸。封裝技術是芯片廠商采用的封裝材料和技術工藝,各芯片廠商都有各自的技術,并為自己的技術注冊商標名稱,所以有些封裝技術的商標名稱不同,但其技術形式基本相同。我們先從標準的封裝外形規格說起。
      標準封裝規格TO封裝
      TO(Transistor Out-line)的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的封裝規格,例如TO-92,TO-92L,TO-220,TO-252等等都是插入式封裝設計。近年來表面貼裝市場需求量增大,TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。
      TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK,TO-263又稱之為D2PAK。
      D-PAK封裝的MOSFET有3個電極,柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。其中漏極(D)的引腳被剪斷不用,而是使用背面的散熱板作漏極(D),直接焊接在PCB上,一方面用于輸出大電流,一方面通過PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤有三處,漏極(D)焊盤較大。
      SOT封裝
      SOT(Small Out-Line Transistor)小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝,比TO封裝體積小,一般用于小功率MOSFET。常見的規格如上。
      主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
      SOP封裝
      SOP(Small Out-Line Package)的中文意思是“小外形封裝”。SOP是表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等,SOP后面的數字表示引腳數。MOSFET的SOP封裝多數采用SOP-8規格,業界往往把“P”省略,叫SO(Small Out-Line )。
      SO-8采用塑料封裝,沒有散熱底板,散熱不良,一般用于小功率MOSFET。
      SO-8是PHILIP公司首先開發的,以后逐漸派生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、 SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標準規格。
      這些派生的幾種封裝規格中,TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
      QFN-56封裝
      QFN(Quad Flat Non-leaded package)是表面貼裝型封裝之一,中文叫做四邊無引線扁平封裝,是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術。現在多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業會規定的名稱。封裝四邊配置有電極接點,由于無引線,貼裝占有面積比QFP小,高度比QFP低。這種封裝也稱為LCC、PCLC、P-LCC等。QFN本來用于集成電路的封裝,MOSFET不會采用的。Intel提出的整合驅動與MOSFET的DrMOS采用QFN-56封裝,56是指在芯片背面有56個連接Pin。
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