電容等效模型以及阻抗計(jì)算公式
電容測(cè)量有串聯(lián)模式(Cs-D, Cs-Rs)和并聯(lián)模式(Cp-D, Cp-Rp)
當(dāng)使用串聯(lián)模式測(cè)量
Cs的計(jì)算是如下圖（即直接使用虛部，認(rèn)為虛部的值就是電容值）：
這種情況下，Cs的值等于C，僅僅在Rp值非常大（1/Rp <<1）并且L的電抗可以忽略（ωL<<1/ωC）的情況下。通常，在高頻時(shí)候，L不可忽略，但是Rp則在很多情況下可以忽略。對(duì)于高值電容，c的電抗相對(duì)Rp來(lái)說(shuō)非常小；而低值電容，其本身的Rp就很大。因此，大多數(shù)電容可以使用下面的等效圖來(lái)表示：
Figure5-5（a）和Figure5-5(b)示出了陶瓷電容器的典型阻抗特性和Cs-D特性：
我們可以從高頻區(qū)的諧振點(diǎn)，認(rèn)知到L的存在。
電容測(cè)量應(yīng)當(dāng)注意到，測(cè)量是和電容值相關(guān)的。
高值電容的測(cè)量：
它屬于低阻抗測(cè)量，因此必須把接觸電極、測(cè)量夾具、電纜中的接觸電阻和殘余阻抗減到最小。這里應(yīng)當(dāng)使用4端、5端或者4端對(duì)測(cè)量方法。為了避免電磁場(chǎng)耦合影響，應(yīng)當(dāng)按照下圖方式連接電纜：
此外為了進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)量，必須進(jìn)行開(kāi)路，短路校準(zhǔn)補(bǔ)償。特別是對(duì)于施加直流偏置電壓的電解電容器，應(yīng)該在偏置設(shè)置為On，并且為0V的時(shí)候進(jìn)行開(kāi)路短路補(bǔ)償。
低值電容測(cè)量：
屬于高阻抗測(cè)量。接觸電極間的雜散電容比殘余阻抗有更大的影響。應(yīng)該使用3端（屏蔽2T）、5端（屏蔽4T）或4端對(duì)（4TP）測(cè)量。正確的接地、開(kāi)路/短路補(bǔ)償可以把雜散電容影響減小到最小。
除了電容量以外，損耗因素D和等效串聯(lián)電阻ESR也是需要測(cè)量的電容參數(shù)。對(duì)于低D值，或者低ESR值的測(cè)量需要格外注意。即使使用4端測(cè)量，測(cè)試夾具和電纜間的接觸電阻、殘余阻抗也會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。
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