MOS管自舉電路工作原理與升壓自舉電路結(jié)構(gòu)圖

MOS管自舉電路介紹：

自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高。有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。

MOS管自舉電路原理：

舉個簡單的例子：有一個12V的電路，電路中有一個場效應(yīng)管需要15V的驅(qū)動電壓，這個電壓怎么弄出來？就是用自舉。通常用一個電容和一個二極管，電容存儲電荷，二極管防止電流倒灌，頻率較高的時候，自舉電路的電壓就是電路輸入的電壓加上電容上的電壓，起到升壓的作用。

自舉電路只是在實踐中定的名稱，在理論上沒有這個概念。自舉電路主要是在甲乙類單電源互補(bǔ)對稱電路中使用較為普遍。甲乙類單電源互補(bǔ)對稱電路在理論上可以使輸出電壓Vo達(dá)到Vcc的一半，但在實際的測試中，輸出電壓遠(yuǎn)達(dá)不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一個高于Vcc的電壓。所以采用自舉電路來升壓。

常用自舉電路（摘自fairchild，使用說明書AN-6076《供高電壓柵極驅(qū)動器IC 使用的自舉電路的設(shè)計和使用準(zhǔn)則》）the boost converter,或者叫step-up converter，是一種開關(guān)直流升壓電路，它可以是輸出電壓比輸入電壓高。假定那個開關(guān)（三極管或者mos管）已經(jīng)斷開了很長時間，所有的元件都處于理想狀態(tài)，電容電壓等于輸入電壓。下面要分充電和放電兩個部分來說明這個電路。

MOS管自舉電容工作原理：

自舉電容，內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無法驅(qū)動。

自舉是指通過開關(guān)電源MOS管和電容組成的升壓電路，通過電源對電容充電致其電壓高于VCC。最簡單的自舉電路由一個電容構(gòu)成，為了防止升高后的電壓回灌到原始的輸入電壓，會加一個Diode.自舉的好處在于利用電容兩端電壓不能突變的特性來升高電壓。舉個例子來說，如果MOS的Drink極電壓為12V，Source極電壓原為0V，Gate極驅(qū)動電壓也為12V，那么當(dāng)MOS在導(dǎo)通瞬間，Soure極電壓會升高為Drink減壓減去一個很小的導(dǎo)通壓降，那么Vgs電壓會接近于0V，MOS在導(dǎo)通瞬間后又會關(guān)斷，再導(dǎo)通，再關(guān)斷。如此下去，長時間在MOS的Drink極與Source間通過的是一個N倍于工作頻率的高頻脈沖，這樣的脈沖尖峰在MOS上會產(chǎn)生過大的電壓應(yīng)力，很快MOS管會被損壞。如果在MOS的Gate與Source間接入一個小電容，在MOS未導(dǎo)通時給電容充電，在MOS導(dǎo)通，Source電壓升高后，自動將Gate極電壓升高，便可使MOS保持繼續(xù)導(dǎo)通。

mos管升壓自舉電路原理：

自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高。有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。

MOS管升壓電路原理

舉個簡單的例子：有一個12V的電路，電路中有一個場效應(yīng)管需要15V的驅(qū)動電壓，這個電壓怎么弄出來？就是用自舉。通常用一個電容和一個二極管，電容存儲電壓，二極管防止電流倒灌，頻率較高的時候，自舉電路的電壓就是電路輸入的電壓加上電容上的電壓，起到升壓的作用。

升壓電路只是在實踐中定的名稱，在理論上沒有這個概念。升壓電路主要是在甲乙類單電源互補(bǔ)對稱電路中使用較為普遍。甲乙類單電源互補(bǔ)對稱電路在理論上可以使輸出電壓Vo達(dá)到Vcc的一半，但在實際的測試中，輸出電壓遠(yuǎn)達(dá)不到Vcc的一半。其中重要的原因就需要一個高于Vcc的電壓。所以采用升壓電路來升壓。

開關(guān)直流升壓電路（即所謂的boost或者step-up電路）原理the boost converter,或者叫step-up converter，是一種開關(guān)直流升壓電路，它可以是輸出電壓比輸入電壓高。基本電路圖見圖1.

假定那個開關(guān)（三極管或者mos管）已經(jīng)斷開了很長時間，所有的元件都處于理想狀態(tài)，電容電壓等于輸入電壓。下面要分充電和放電兩個部分來說明這個電路。

mos管充電過程介紹：

在充電過程中，開關(guān)閉合（三極管導(dǎo)通），等效電路如圖二，開關(guān)（三極管）處用導(dǎo)線代替。這時，輸入電壓流過電感。二極管防止電容對地放電。由于輸入是直流電，所以電感上的電流以一定的比率線性增加，這個比率跟電感大小有關(guān)。隨著電感電流增加，電感里儲存了一些能量。

mos管放電過程

如圖，這是當(dāng)開關(guān)斷開（三極管截止）時的等效電路。當(dāng)開關(guān)斷開（三極管截止）時，由于電感的電流 保持特性，流經(jīng)電感的電流不會馬上變?yōu)?，而是緩慢的由充電完畢時的值變?yōu)?。而原來的電路已斷開，于是電感只能通過新電路放電，即電感開始給電容充電， 電容兩端電壓升高，此時電壓已經(jīng)高于輸入電壓了。升壓完畢。

說起來升壓過程就是一個電感的能量傳遞過程。充電時，電感吸收能量，放電時電感放出能量。如果電容量足夠大，那么在輸出端就可以在放電過程中保持一個持續(xù)的電流。如果這個通斷的過程不斷重復(fù)，就可以在電容兩端得到高于輸入電壓的電壓。

【mos管常用升壓電路】

mos管P 溝道高端柵極驅(qū)動器

直接式驅(qū)動器：適用于最大輸入電壓小于器件的柵- 源極擊穿電壓。

開放式收集器：方法簡單，但是不適用于直接驅(qū)動高速電路中的MOSFET。

電平轉(zhuǎn)換驅(qū)動器：適用于高速應(yīng)用，能夠與常見PWM 控制器無縫式工作。

mos管N 溝道高端柵極驅(qū)動器

直接式驅(qū)動器：MOSFET最簡單的高端應(yīng)用，由PWM 控制器或以地為基準(zhǔn)的驅(qū)動器直接驅(qū)動，但它必須滿足下面兩個條件：

1、VCC<Vgs,max

2、Vdc<VCC-Vgs,miller

浮動電源柵極驅(qū)動器：獨立電源的成本影響是很顯著的。光耦合器相對昂貴，而且?guī)捰邢蓿瑢υ肼暶舾小?/div>