場效應(yīng)管放大電路
對應(yīng)三極管的共射、共集及共基放大電路，場效應(yīng)管放大電路也有共源、共漏和共柵三種基本組態(tài)。下面以JFET組成的共源極放大電路為例，介紹場效應(yīng)管放大電路的工作原理。
1.自偏壓電路
自偏壓電路如圖3-10所示。在圖中，場效應(yīng)管柵極通過柵極電阻RG接地，源極通過源極電阻RS接地。這種偏置方式利用JFET(或耗盡型MOS管)在柵源電壓uGS=0時，漏極電流iD≠0的特點(diǎn)，以漏極電流在源極電阻RS上的直流壓降，給柵源之間提供反向偏置電壓。也就是說，在靜態(tài)時，源極電位uS=iDRS，由于柵極電流為0，RG上沒有壓降，柵極電位uG=0，所以柵源之間的偏置電壓為
uGS=uG-uS=-iDRS
要說明的是，自偏壓方式不能用于由增強(qiáng)型MOS管組成的放大電路。因?yàn)樵鰪?qiáng)型MOS管
只有當(dāng)uGS達(dá)到UT時才有iD產(chǎn)生。
對于圖3-10電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，可以利用式(3-1)和式(3-3)求聯(lián)立方程，即
ID=IDSS(1-UGS/UP)2(3-4
)UGS=-IDRS(3-5)
求得ID和UGS之后，則有
UDS=VDD-ID(RD+RS)(3-6)
例3-1電路如圖3-10所示，已知IDSS=0.5mA，UP=-1V，試確定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。
解:根據(jù)上面分析得到的公式有
ID=0.5(1+UGS)2
UGS=-2ID
將UGS表達(dá)式代入ID表達(dá)式中，得
ID=0.5(1-2ID)2
解方程得
ID=(0.75±0.56)mA
而IDSS=0.5mA，ID不應(yīng)大于IDSS，所以
IDQ=0.19mA
UGSQ=0.38V
UDSQ=11.9
2.分壓式自偏壓電路
雖然自偏壓電路比較簡單，但是當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)確定后，uGS和iD就確定了，因而RS選擇的范圍很小。分壓式自偏壓電路是在圖3-10電路的基礎(chǔ)上加接分壓電阻后組成的，如圖3-11所示。漏極電源VDD經(jīng)分壓電阻RG1和RG2分壓后，通過RG3供給柵極電壓，uG=RG2VDD/(RG1+RG2);同時漏極電流在源極電阻RS上也產(chǎn)生壓降，uS=iDRS。因此，靜態(tài)時加在JFET上的柵源電壓為
uGS=uG-u
=VDDRG2/(RG1+RG2)-iDRS(3-7)
同樣可根據(jù)式(3-1)和(3-7)求聯(lián)立方程，即
ID=IDSS(1-UGS/UP)2
UGS=VDDRG2/(RG1+RG2)-IDRS
從而求出ID和UGS，并求出
UDS=VDD-ID(RD+RS)
得出電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。
3、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析
圖3-10自偏壓電路可以用圖3-12的交流等效電路來表示，圖中RL為放大電路外加的負(fù)載電阻。從圖中不難求出電壓放大倍數(shù)Au、Ri和Ro三個性能參數(shù)。
1.電壓放大倍數(shù)Au
由圖3-12可得出
Au=uo/ui=(-idR′L)/ugs=-(gmugsR′L)/ugs
即
Au=-gmR′L(3-8)
其中，R′L=RD∥RL。
式(3-8)表明，JFET共源放大電路的電壓放大倍數(shù)Au與跨導(dǎo)gm成正比，且輸出電壓與輸入電壓反相。
2.輸入電阻Ri和輸出電阻Ro
由圖3-12可得
Ri≈RG(3-9)
Ro≈RD(3-10)
可見，共源放大電路的輸入電阻Ri主要由偏置電阻RG決定，而輸出電阻Ro則由漏極電阻RD決定。
場效應(yīng)管放大電路的優(yōu)缺點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn)
(1)輸入電阻大。用普通三極管做成放大電路，共射電路的輸入電阻約幾KΩ，(我們一般稱之為10^3級)，共集電極電路的輸入電阻也只能做到幾十K歐到一百多K歐(10^5級)，而使用結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)就可做到輸入電阻10^6級，使用MOS管能做到10^8級以上。
(2)溫度穩(wěn)定性好，由于場效應(yīng)管里沒有漂移電流，基本不受溫度變化的影響。
缺點(diǎn):
(1)放大倍數(shù)小，一級放大只能做到幾倍(可能不到10倍)，(2)輸入端由于靜電感應(yīng)容易產(chǎn)生擊穿。
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