二極管
以硅（或鍺）作為基板，將摻雜了磷和砷的Negative 型半導(dǎo)體（電子不足，空穴較多）和摻雜了硼和鎵的Positive 型半導(dǎo)體（電子多余）結(jié)合在一起，就稱為二極管（PN 結(jié)）。
二極管具有單向?qū)щ娦裕▎蜗驅(qū)ǎ虼司邆湔髯饔茫醋岆娏髦怀粋€方向運(yùn)動。
三極管
三極管也稱為雙極性晶體管，全稱叫做雙極性結(jié)型晶體管，縮寫為BJT，因?yàn)榉N具有三個終端，所以俗稱為三極管。將P型、N型半導(dǎo)體做成三明治狀從而形成NPN 結(jié)與PNP結(jié)，中間的那層稱為基級Base，兩側(cè)的稱為發(fā)射級Emitter或集電極Collector，即三極管，也稱為雙極性結(jié)型晶體管。
三極管具有如下3種工作狀態(tài)
截止?fàn)顟B(tài)：當(dāng)發(fā)射極電壓小于PN結(jié)導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極和發(fā)射極的電流都為零，此時三極管失去了電流放大作用，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)。
放大狀態(tài)：當(dāng)發(fā)射極電壓大于PN結(jié)導(dǎo)通電壓，并處于某一恰當(dāng)值時，三極管發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，此時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用（放大倍數(shù) β=ΔIc/ΔIb）。
飽和導(dǎo)通：當(dāng)發(fā)射極電壓大于PN結(jié)導(dǎo)通電壓，并當(dāng)基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某個確定值的附近不再變化，此時三極管失去電流放大作用，集電極與發(fā)射極之間電壓很小，相當(dāng)于開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。
晶閘管
晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又被稱為可控硅整流器，泛指具有四層及以上交錯 PN層的半導(dǎo)體元件，具體可分為單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等種類。
晶閘管是一種開關(guān)元件，具有可控的單向?qū)щ娦裕ㄅc之相比，普通的二極管只是一個單向?qū)щ娖骷?。晶閘管具有以小電流或電壓控制大電流電壓的作用，廣泛用于無觸點(diǎn)開關(guān)、可控整流、逆變、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速等。
晶閘管只能工作在開關(guān)狀態(tài)，而場效應(yīng)管既可以工作在開關(guān)狀態(tài)也可以工作在放大狀態(tài)。
場效應(yīng)管
場效應(yīng)管（FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件，也稱為單極性晶體管。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，能夠控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道導(dǎo)電性。
主要分為結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET，簡稱 JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱 MOS-FET）兩種類型，可應(yīng)用于放大、阻抗變換、可變電阻、電子開關(guān)。
場效應(yīng)管是電壓控制元件，柵極基本不獲取電流；而普通晶體管是電流控制元件，基極必須獲取一定電流。
絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管（IGBT），由三極管BJT和場效應(yīng)管MOS組成，是一種使用電壓驅(qū)動的功率半導(dǎo)體器件，具有自關(guān)斷特性，即功能類似于一個非通即斷的開關(guān)。IGBT不能放大電壓，導(dǎo)通時可視為導(dǎo)線，斷開時可視為開路。
三極管導(dǎo)通電阻小，但是驅(qū)動電流大；場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻大，但是驅(qū)動電流?。籌GBT則結(jié)合兩者優(yōu)點(diǎn)，不僅驅(qū)動電流小，導(dǎo)通電阻也較低。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)钠骷?，主要用于電動車輛、鐵路動車組的交流電機(jī)輸出控制。采用IGBT進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換，可以提高用電效率和質(zhì)量，更加高效節(jié)能。
IGBT和MOSFET都是目前半導(dǎo)工業(yè)比較主流的兩款功率器件。
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