MCR100-8可控硅參數(shù),MCR100-8參數(shù)規(guī)格書,MCR100-8引腳圖
MCR100-8可控硅,MCR100-8引腳圖封裝,MCR100-8代換,MCR100-8參數(shù)規(guī)格書
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MCR100-8 SOT-89參數(shù)封裝：點(diǎn)擊查看
MCR100-8封裝有：SOT-23/SOT-89/TO-92
MCR100-8可控硅參數(shù)如下：
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage 峰值重復(fù)正向和反向阻斷電壓 VDRM and VRRM：600V
Forward Current RMS 通態(tài)電流 IT(RMS)：0.8A
Peak Forward Surge Current, TA = 25℃ 峰值正向浪涌電流 ITSM：10A
Forward "On" Voltage 通態(tài)電壓 VTM：1.7V
Gate Trigger Current 門極觸發(fā)電流 IGT：200uA
Gate Trigger Voltage 門極觸發(fā)電壓 VGT：0.8V
Operating Junction Temperature Range 工作結(jié)溫度范圍 TJ：-40 to +125℃
Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg：-40 to +150℃
MCR100-8可控硅/SOT-23封裝尺寸：
MCR100-8可控硅/SOT-89封裝尺寸：
MCR100-8可控硅/TO-92封裝尺寸：
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