MOSFET門源極并聯(lián)電容后，開關可靠性得到提升
開關電路如下圖：
電路解釋
1.該電路用于高邊開關，當MOS_ON 網絡拉低到地時，開關Q1導通；
2.電路中D3作用為鉗位Q1門源電壓在12V左右，以保護Q1；
3.C2作用為濾除MOS_ON上的干擾以及延緩Q1上下電時間，如下圖：分別為添加電容和不添加電容Q1門極電壓變化情況。
結論：通過在開關g s 并聯(lián)電容，可以有效提升開關mosfet抗干擾能力，尤其在mosfet需要通過外部按鍵使能的應用，另外并聯(lián)的電容可以有效濾除由于控制抖動導致的電源開關關斷。
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