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    6. LDO電源抑制比的作用與影響因素解析
      • 發(fā)布時間:2023-07-15 16:51:47
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      LDO電源抑制比的作用與影響因素解析
      在電子產(chǎn)品設(shè)計中,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是最常用的電源芯片之一,經(jīng)常用在開關(guān)電源的后級。LDO 可以衰減開關(guān)電源產(chǎn)生的紋波,而衰減開關(guān)電源紋波的主要參數(shù)就是 LDO 電源抑制比--PSRR。
      什么是 LDO 的 PSRR?
      PSRR 是 LDO 的主要參數(shù)之一,在各廠商 LDO 的數(shù)據(jù)手冊中都可以找到這一參數(shù),PSRR 規(guī)定了在某個頻率下疊加的交流信號從 LDO 輸入到輸出的衰減程度。PSRR 的為:
      LDO 電源抑制比 PSRR
      該公式的含義是衰減越高,PSRR 值就越高。(注意:有些供應(yīng)商會使用負(fù)號來表示衰減)
      接下來看一下如何使用 PSRR 參數(shù)來減小開關(guān)電源的紋波。
      LDO PSRR 的作用及如何確定
      如圖 1 所示,是電子產(chǎn)品中常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)——開關(guān)電源 + LDO,開關(guān)電源(Buck 電路)將 12V 輸入電源降壓為 4.3V,紋波達(dá)到±50mV;LDO(TPS717)則進一步調(diào)節(jié)輸出電壓為 3.3V。LDO 的 PSRR 將決定 3.3V 輸出電壓的紋波。
      LDO 電源抑制比 PSRR
      圖 1 使用 LDO 來過濾開關(guān)噪聲
      根據(jù) LDO PSRR 的定義,為了確定輸出紋波的衰減程度,首先要確定開關(guān)電源輸出紋波的頻率。假設(shè)這個例子頻率為 1MHz,需查看 LDO 的 PSRR-頻率曲線,如圖 2 所示。
      LDO 電源抑制比 PSRR
      圖 2 VIN – VOUT = 1V 時,TPS717 的 PSRR 曲線
      在下列條件下,1MHz 時的 PSRR 指定為 45dB:
      IOUT = 150mA
      VIN – VOUT = 1V
      COUT = 1μF
      在這種情況下,45dB 相當(dāng)于 178 的衰減系數(shù),可以計算出 LDO 輸入端的±50mV 紋波在輸出端被壓縮至±281μV。
      影響 LDO PSRR 的因素
      VIN – VOUT 對 LDO PSRR 的影響
      假設(shè)將 VIN – VOUT 降至 250mV,這時需要查看圖 3 中的曲線。
      LDO 電源抑制比 PSRR
      圖 3 VIN – VOUT = 0.25V 時,TPS717 的 PSRR 曲線
      可以看到,在其他條件保持不變的情況下,1MHz 時的 PSRR 降至 23dB,也就是衰減系數(shù)為 14。這是由于 LDO 內(nèi)部的 CMOS 元件進入線性區(qū)域,也就是說,隨著 VIN – VOUT 接近 LDO 的內(nèi)部壓差,PSRR 開始下降。
      LDO 內(nèi)部壓差,是指 LDO 的內(nèi)阻與輸出電流的乘積(當(dāng)然還有其他影響因素),降低內(nèi)部壓差有助于提高 LDO 的 PSRR,進一步來說,減小輸出電流有助于提高 LDO 的 PSRR。
      改變輸出電容也會影響 LDO 的 PSRR。
      其他影響因素
      通過調(diào)整 VIN – VOUT 和輸出電容,就可以改善特定應(yīng)用的 PSRR。除此之外,還有其他的影響因素。
      LDO 電源抑制比 PSRR
      表中“+”代表正向影響程度。
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