正常情況下：當(dāng)MOS管在開關(guān)狀態(tài)時(shí)，開關(guān)波形應(yīng)該會(huì)和控制信號(hào)電壓波形一樣標(biāo)準(zhǔn)。
但是實(shí)際上柵極串聯(lián)較大的電阻以后，柵極上的充放電電流很小，對(duì)電容的充電速度變慢，MOS管出現(xiàn)了未完全導(dǎo)通，并且下一個(gè)關(guān)閉MOS管的信號(hào)又到達(dá)了的現(xiàn)象。
我們了解過(guò)米勒平臺(tái)，知道MOS管GS和GD之間都有一個(gè)等效電容，電容兩端的電壓無(wú)法突變，因此本質(zhì)上就是對(duì)這些電容進(jìn)行充放電，讓Vgs電壓達(dá)到導(dǎo)通和關(guān)閉的門限。
我們通過(guò)這個(gè)電路來(lái)講解，在這里當(dāng)輸入信號(hào)為1MHz時(shí)，幅度5V的方波信號(hào)，通過(guò)200ohm電阻R1連接到NMOS的G極，但Ud電壓最小值還在5V時(shí)又開始上升了，開關(guān)并沒(méi)有完全導(dǎo)通。
這時(shí)可以將串聯(lián)電阻R1縮小，大概20ohm，Vd電壓信號(hào)保持為方波，這就可以進(jìn)行完全導(dǎo)通了。
但是，當(dāng)Ud關(guān)斷時(shí)，出現(xiàn)了較長(zhǎng)的“爬坡”，也就是說(shuō)，即使將柵極驅(qū)動(dòng)電流增大了，MOS管本身的開關(guān)頻率也存在上限。
于是我們將柵極驅(qū)動(dòng)型號(hào)的頻率降低到100kHz，這時(shí)的Ud和Ugs就是一個(gè)比較標(biāo)準(zhǔn)的方波信號(hào)了。
當(dāng)MOS管出現(xiàn)不完全導(dǎo)通，以及邊沿爬坡緩慢會(huì)出現(xiàn)什么情況？
事實(shí)上當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通時(shí)，MOS管的損耗可以看作為0，也就是說(shuō)MOS管的損耗只存在于開關(guān)的過(guò)程中
相反，MOS管的損耗就會(huì)加大，并加重發(fā)熱，最終導(dǎo)致MOS管燒毀。
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