我們知道經(jīng)常會(huì)提及MOS管的閾值電壓，那亞閾值電壓大家是否熟知呢？簡單來說，柵極電壓低于閾值電壓,半導(dǎo)體表面僅僅只是‘弱反型’時(shí)，相應(yīng)的漏極電流稱為亞閾值電流。這里提及一下:
（弱反型，半導(dǎo)體表面的少數(shù)載流子濃度大于等于表面的多數(shù)載流子濃度，但遠(yuǎn)小于體內(nèi)的多數(shù)載流子濃度時(shí)的狀態(tài)。）
在亞閾值區(qū)，對于漏極電流起決定作用的是載流子擴(kuò)散而不是漂移。漏極電流可以用
推導(dǎo)均勻摻雜基區(qū)的雙極晶體管集電極電流的方法導(dǎo)出，可得到：ID~eV-Vm)/NT
即Ip和VG-VTH成指數(shù)關(guān)系。
當(dāng) MOSFET 作為低電壓、小功率器件使用，例如用做數(shù)字邏輯電路開關(guān)或存儲(chǔ)器時(shí)，亞閾值區(qū)便特別重要。這是因?yàn)樗枋隽碎_關(guān)如何導(dǎo)通和截止。
那MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的？
亞閾值區(qū)的產(chǎn)生是由于柵極電壓低于閾值電壓時(shí)，MOSFET的電子無法完全從源極流向漏極。在亞閾值區(qū)，仍然存在一些電子從源極流向漏極，但電流較小。這是因?yàn)樵趤嗛撝祬^(qū)，MOSFET的通道形成受到了限制，無法完全打開。
亞閾值區(qū)在 MOSFET 器件中的作用及優(yōu)點(diǎn)
1. 電流和功耗：在亞閾值區(qū)，漏極電流與柵源電壓之間呈指數(shù)關(guān)系，這使得器件在小信號輸入時(shí)具有較高的電流放大能力。同時(shí)它使器件在低功耗狀態(tài)下依舊具有一定的導(dǎo)電能力，降低了整體功耗。
2.防噪聲：亞閾值區(qū)的存在使得器件在小信號輸入時(shí)具有較低的噪聲，提高了器件的噪聲性能。
3. 可靠性和穩(wěn)定性：亞閾值區(qū)降低器件的導(dǎo)通電阻，提高器件的導(dǎo)通能力和可靠性。同時(shí)，它可以減少由于溫度變化引起的器件性能波動(dòng)，提高器件的穩(wěn)定性。
存在一定缺點(diǎn)
速度較慢：亞閾值區(qū)的MOSFET由于電流較小，其開關(guān)速度較慢，可能導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間較長。
2.限制了電流增益：亞閾值區(qū)的MOSFET的電流增益較低，不適合需要較大電流的應(yīng)用。
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