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    6. 反激式開關(guān)電源,rcd吸收電路工作原理介紹
      • 發(fā)布時間:2025-05-22 18:38:15
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      反激式開關(guān)電源,rcd吸收電路工作原理介紹
      反激式開關(guān)電源RCD吸收電路解析
      在反激開關(guān)電源中,當(dāng)MOS管關(guān)斷瞬間,變壓器初級繞組的漏感所儲存的能量無法順利傳遞至次級繞組,此時初級繞組的漏感與MOS管的寄生電容相互作用,產(chǎn)生諧振電壓波形。
      該諧振電壓尖峰會與次級繞組反射電壓以及電源輸入電壓相互疊加,最終加載于MOS管的DS兩端。若疊加后的電壓超出MOS管的耐壓值,將直接導(dǎo)致MOS管損壞;即使未超過耐壓值,但若接近其最大耐壓值,也會對MOS管的使用壽命產(chǎn)生不利影響?;诖耍琑CD吸收電路應(yīng)運(yùn)而生,其核心作用在于有效抑制諧振電壓尖峰,確保MOS管耐壓具有至少20%的電壓余量,從而降低MOS管損壞風(fēng)險并延長其使用壽命。此外,RCD吸收電路還能抑制諧振電壓振蕩,對電磁干擾(EMI)的減小具有積極作用。
      rcd吸收電路
      RCD吸收電路工作原理
      在眾多用于吸收MOS管電壓尖峰的電路形式中,RCD吸收電路憑借其簡單有效的特性,在開關(guān)電源領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。RCD吸收電路由二極管D、電阻R以及電容C這三個關(guān)鍵元件構(gòu)成,其電路結(jié)構(gòu)如下圖所示。
      rcd吸收電路
      在分析其工作原理時,暫且忽略二極管D的正向?qū)▔航?。?dāng)MOS管關(guān)斷時,諧振電壓波形致使B點產(chǎn)生電壓尖峰,此時因初始時刻電容C兩端無電壓差,UB電壓高于UA電壓,UB便通過二極管D向電容C充電。本質(zhì)上,Uds電壓升高是由于初級繞組漏感瞬變電流產(chǎn)生的感應(yīng)電壓,該電壓對MOS管的寄生電容Coss進(jìn)行充電,隨著寄生電容Coss兩端電荷的積累,電壓差逐漸增大。
      當(dāng)二極管D導(dǎo)通時,鑒于電容C的電容值遠(yuǎn)大于MOS管的寄生電容,電容C能夠分擔(dān)大部分原本用于向寄生電容Coss充電的電流,從而有效減緩寄生電容Coss的充電過程,實現(xiàn)對Uds電壓尖峰的抑制。與此同時,電阻R在電路中發(fā)揮著消耗初級繞組漏感所存儲能量的作用,促使諧振波形能夠迅速趨于平穩(wěn)。
      在MOS管關(guān)斷期間,鉗位電容會快速充電至設(shè)定的鉗位電壓。當(dāng)諧振電壓尖峰低于鉗位電壓時(即諧振電壓UB波形開始下降至低于UA電壓,并持續(xù)保持UB低于UA電壓直至UB逐漸回落至Uin+Ur),鉗位二極管截止,此時鉗位電容C通過鉗位電阻R將儲存的能量以熱能形式釋放。
      需要特別注意的是,必須合理控制電阻R的放電速度,即電阻阻值不能選得過小,以確保鉗位電壓不會低于反射電壓。否則,當(dāng)UB大于UA時(此時UB=Uin+Ur,UA=Uin+Uclamp,而Uclamp受電阻放電影響呈逐漸減小趨勢),鉗位二極管會再次導(dǎo)通,導(dǎo)致鉗位電阻消耗本應(yīng)傳遞至次級繞組的能量,進(jìn)而降低電源效率。通過這種方式,在MOS管關(guān)斷時,RCD吸收電路能夠吸收初級繞組漏感在MOS管開通時刻所存儲的能量,確保Uds不超過UA電壓。
      為了避免上一周期鉗位電容C所存儲能量對下一個周期鉗位動作產(chǎn)生干擾,必須保證在下一次MOS導(dǎo)通之前,電阻R已將鉗位電容C上的能量完全釋放。倘若電路中未配置電阻R,則每個周期漏感都會對電容C進(jìn)行充電,致使電容C兩端電壓持續(xù)攀升,最終可能導(dǎo)致MOS管或電容因承受過高電壓而損壞。通常情況下,要求MOS管開關(guān)周期T滿足(2-4)×RC的關(guān)系。
      下圖為開關(guān)電源在增加RCD電路前后的MOS管Uds測試波形對比,左圖為未加RCD電路時的測試結(jié)果,右圖為添加RCD電路后的測試結(jié)果:
      紅:MOS管Uds電壓,藍(lán):MOS管耐壓Udsmax。
      rcd吸收電路
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